一种TSV露头工艺
来源：互联网 2023-02-07 11:26:28
(资料图片)
1、 《一种TSV露头工艺》是华进半导体封装先导技术研发中心有限公司于2013年5月3日申请的发明专利，该专利的申请号为2013101635106，公布号为CN103219282A，授权公布日为2013年7月24日，发明人是顾海洋、张文奇、宋崇申。
2、 《一种TSV露头工艺》是通过在对晶圆衬底的背面采用机械方式研磨减薄后，增加2次化学机械抛光工艺（CMP），第一次CMP采用无选择比的抛光液，使衬底表面的TTV控制在1微米以下，减少因TTV过大而对露头造成的均匀性差的问题。第二次CMP采用对衬底、TSV介质层、TSV阻挡层三者之间高选择比的抛光液，使得刻蚀停留在TSV的阻挡层上，从而保护里面的导电铜柱不被腐蚀，并且刻蚀出来的衬底形貌具有用于种子层沉积时的过渡结构，从而提高TSV后续电连接时的稳定性。
3、 2019年7月15日，《一种TSV露头工艺》获第十一届江苏省专利项目奖优秀奖。
4、 （概述图为《一种TSV露头工艺》摘要附图）
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